Полупроводниковые приборы большой мощности справочник

полупроводниковые приборы большой мощности справочник
Серия КМ1804ВМ1. Руководство по применению РД 11 0636-88 Резисторы и наборы резисторов. Конструирование. Сборка и защита микросхем РД 11 073.026-74 Микросхемы интегральные гибридные. Соединители электрические низкочастотные цилиндрические (нормальных габаритов, малогабаритные для объемного и печатного монтажа, с байонетным способом сочленения) РД 11 0673.3-2009 Радиокомпоненты народнохозяйственного назначения. Сопротивление транзистора изменяется от нуля до максимального значения — говорят транзистор «приоткрывается» или «подзакрывается». 2) Режим насыщения — сопротивление транзистора стремится к нулю.


Есть и заводские паспорта, Плутоновские (старого и нового образцов, а также отдельные на П213А, П215 ОС), и от Фотона и ВЗПП (старый и новый). Тропический вариант. Впервые классификация материалов и их описание представлены по основным эксплуатационным (служебным) требованиям, предъявляемым к деталям машин. Рис. 8. Структура мощного HEXFET-транзистора фирмы IR Сплошная металлизация приборов с двух сторон повышала их емкости и заметно увеличивала времена их переключения. Но она же позволяла уменьшить сопротивление сток–исток и способствовала получению больших токов стока.

Так, в приложении к книге [23] отмечено около 300 типов выпускаемых серийно в России к 2001 г. мощных полевых транзисторов. Книга: Отечественные транзисторы для бытовой, промышленной и специальной аппаратуры.Формат: djvu Размер: 17562710 байт.Описание: Транзисторы для бытовой, промышленной и специальной аппаратуры. Следующий этап развития технологии производства радиоэлектронной аппаратуры — технология поверхностного монтажа кристалла (ТПМК). ТМПК обеспечивает миниатюризацию радиоэлектронной аппаратуры при росте ее функциональной сложности.

Похожие записи: